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OBIRCH 原理：用激光束在器件表面掃描，激光束的部分能量轉化為熱量。如果互連線中存在缺陷或者空洞，這些區

域附近的熱量傳導不同于其他的完整區域，將引起局部溫度變化，從而引起電阻值改變ΔR，如果對互連線施加恒定電

壓，則表現為電流變化ΔI= (ΔR/V)I2, 通過此關系，將熱引起的電阻變化和電流變化聯系起來。將電流變化的大小與所成

像的像素亮度對應，像素的位置和電流發生變化時激光掃描到的位置相對應。這樣就可以產生OBIRCH像來定位缺陷.

OBIRCH 應用：

OBIRCH常用于芯片內部高阻抗及低阻抗分析，線路漏

電路徑分析.利用OBIRCH方法，可以有效地對電路中缺

陷定位，如線條中的空洞、通孔下的空洞。通孔底部高

阻區等；也能有效的檢測短路或漏電,是發光顯微技術的

有力補充。

芯片開封

LC / EMMI / OBIRCH 對比
?	?	靈敏度	背面觀察	現象
?	LC	毫安級別	No	No Hot Spots
?	EMMI	微安級別	No	Light Emission
?	OBIRCH	微安級別	Yes	Thermo-electric Property

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.(2011年11月5日)................................................................................