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序號(hào)

課 程 名 稱

培 訓(xùn) 目 標(biāo)

近開課時(shí)間

學(xué) 期

芯片、集成電路設(shè)計(jì)系列培訓(xùn)班

E1

ONCHIP(芯片上) ESD防護(hù)設(shè)計(jì)高級(jí)培訓(xùn)班

ESD防護(hù)的基本模型;ESD測(cè)試及標(biāo)準(zhǔn);常用的ESD防護(hù)的器件;系統(tǒng)級(jí)和電路板級(jí)ESD防護(hù)電路設(shè)計(jì);納米集成電路上ESD防護(hù)設(shè)計(jì)

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E2

產(chǎn)品靜電放電ESD設(shè)計(jì)及防護(hù)實(shí)務(wù)培訓(xùn)班

●系統(tǒng)的靜電基礎(chǔ)知識(shí)，先進(jìn)靜電控制原理與技術(shù)
●如何通過設(shè)計(jì)避免靜電的危害、如何規(guī)劃靜電防護(hù)區(qū)域和產(chǎn)品、物料等進(jìn)行分級(jí)
●如何控制生產(chǎn)加工過程來減少靜電的危害，從而大幅度提高電子產(chǎn)品的可靠性系統(tǒng)學(xué)習(xí)靜電防護(hù)在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面的應(yīng)用及與案例經(jīng)驗(yàn)分享，具體講解如何開展電子產(chǎn)品ESD設(shè)計(jì)
●如何通過實(shí)驗(yàn)進(jìn)行ESD防護(hù)的驗(yàn)證
●對(duì)整體靜電防護(hù)體系有一個(gè)全面的了解，以及了解如何依照ESD 20.20標(biāo)準(zhǔn)對(duì)整體靜電防護(hù)體系進(jìn)行審核

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E3

電子產(chǎn)品失效分析與可靠性案例培訓(xùn)班

本課程為滿足電子產(chǎn)品生產(chǎn)與設(shè)計(jì)企業(yè)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量及可靠性方面的需要、解決 工程師遇到失效分析與可靠性問題時(shí)的疑點(diǎn)和盲區(qū)、打破理論與實(shí)際脫鉤的窘境、達(dá)到失效現(xiàn)象與失效原因直 接掛鉤、提高產(chǎn)品可靠性的效果

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E4

DOE試驗(yàn)設(shè)計(jì)培訓(xùn)班

掌握試驗(yàn)設(shè)計(jì)的方法，原理和應(yīng)用。通過咨詢師的現(xiàn)場(chǎng)輔導(dǎo)，解決生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)的實(shí)際問題并有效掌握DOE的應(yīng)用提高對(duì)DOE的認(rèn)識(shí)，從根本上摒棄依靠“啪腦袋”和“工程猜測(cè)”解決問題的傳統(tǒng)陋習(xí)；了解應(yīng)用DOE的必備條件； ? 掌握DOE工具的應(yīng)用步驟； 系統(tǒng)性地應(yīng)用DOE工具，提高過程質(zhì)量及生產(chǎn)效率。

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E5

高壓(HV)集成電路ESD/LU防護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)

高壓制程電子產(chǎn)品一般大的可靠性問題是靜電放電(ESD) 很差、閂鎖(LU)能力也很差，而且模擬高壓電路輸出端口又會(huì)占很大面積，這會(huì)影響使其ESD能力通常非常不佳。ESD)/LU破壞是影響IC可靠性的重要因素也是延緩產(chǎn)品上市的主因，因此無論由制程上、設(shè)計(jì)上全方位的防護(hù)措施是必要的。本課程是高壓集成IC ESD/LU防護(hù)設(shè)計(jì)上之實(shí)務(wù)課程，更是各高壓集成IC產(chǎn)品ESD可靠度防護(hù)上熱門的技術(shù)。

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E6

模擬高頻/通訊集成電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)技術(shù)培訓(xùn)班

靜電放電(ESD)破壞是影響超大型積體電路可靠性的重要因素也是延緩產(chǎn)品上市的主因，因此無論由制程上、設(shè)計(jì)上全方位的防護(hù)措施是必要的。本課程是通訊/高頻積體電路ESD防護(hù)設(shè)計(jì)的課程，更是其產(chǎn)品在ESD可靠度防護(hù)上熱門的技術(shù)。

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E7

集成電路(IC)電磁兼容設(shè)計(jì)高級(jí)班

集成電路(IC)電磁兼容設(shè)計(jì)高級(jí)班

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E8

高速CMOS A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)培訓(xùn)班

高速CMOS A/D轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)

E9

薄膜刻蝕設(shè)備培訓(xùn)班

薄膜刻蝕設(shè)備培訓(xùn)

2014年08月31日

6天；
36學(xué)時(shí)