合作企業(yè)新人才需求公告

微線路修改

測試鍵生長

Cross-Section

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芯片分析實驗室 ??FIB性能參數(shù)

• 型號：FEI DualBeam 820. ?FIB/SEM（離子束/電子束）雙束機臺
  
  
• 大陸地區(qū)第一臺投入商業(yè)服務的Dual-Beam雙束機臺
  
  
• 精準分辨率高達7nm
  
  
• 可同時提供FIB聚焦離子束切割修改與SEM電子束影像觀察
  
  
• 微線路切割，鹵素氣體輔助蝕刻
  
  
• 縱向切割 Cross-Section
  
  
• 深層微沉積，沉積金屬物為白金/鎢
  
  
• VC (Voltage Contrast) 電位對比測試，判斷連接線(metal, poly, contact, via)之open/ short
  
  
• 微線路修改高制程可達0.13um
  
  
• 支持8英寸wafer
  

  FIB 主要應用范圍

  微線路修改（Microcircuit Modification）

  可直接對金屬線做切斷、連接或跳線處理. 相對于再次流片驗證, 先用FIB工具來驗證線路設計的修改, 在時效和成本上具有非常明顯的優(yōu)勢.

  測試鍵生長（Test Pad/Probing Pad Building）

  在復雜線路中任意位置鍍出測試鍵, 工程師可進一步使用探針臺(Probe station) 或 E-beam 直接觀測IC內(nèi)部信號.

  縱向解剖 Cross-section

  SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡的樣片制備.

  VC電勢對比測試（Voltage Contrast）

  利用不同電勢金屬受離子束/電子束照射后二次電子產(chǎn)量不同致使其影像形成對比的原理，判斷metal, poly, contact, via之open/short

  
  

  FIB 原 理 靜電透鏡聚焦的高能量鎵離子, 經(jīng)高壓電場加速后撞擊試片表面, 在特定氣體協(xié)作下產(chǎn)生圖像并移除或沉淀(連接) 物質(zhì), 其解析度為亞微米級別. 離子束實體噴濺加以鹵素氣體協(xié)作, 可完成移除表面物質(zhì) (縱向解剖/開挖護層、切 斷金屬線), 離子束噴濺與有機氣體協(xié)作則可完成導體沉積 (金屬線連接、測試鍵生長).